RAM

Abkürzung für "Random Access Memory" • Der Arbeitsspeicher eines Computers heißt RAM, weil man auf jede Speicherzelle wahlfrei zugreifen kann. RAMs sind in der Regel flüchtige Speicher - sie verlieren ihre Inhalte, wenn kein Strom mehr fließt.(Vielleicht) wichtig zu wissen:

• DDR (Double Data Rate)
  Als die viel diskutierte und von INTEL unterstützte Rambus-Technik Mitte 1999 Probleme mit der Marktreife bekam, setzten Chiphersteller wie Hitachi, Hyundai oder IBM wieder auf die Weiterentwicklung von SDRAM in Form der DDR-Speichertechnik. Während "normale" SDRAM-Module 1999 bei einem 133 MHz Front-Side-Bus (FSB) einen Datendurchsatz von 1,1 GByte pro Sekunde leisteten, waren DDR-Module doppelt so schnell. Möglich wird dies durch einen relativ simplen Trick: Die Datenbits werden bei der ab- und aufsteigenden Flanke des Taktsignals übertragen, statt wie bisher nur bei der aufsteigenden. Erste Boards und Speicherchips kamen Ende 1999 auf den Markt.
  Gegenüber der von INTEL favorisierten Direct-RDRAM-(Rambus)-Lösung hat DDR einige Vorteile: Die Hersteller benötigen keine neuen Produktionsmaschinen und DDR ist ein offener Standard, dessen Spezifikationen im Internet offenliegen; Lizenzgebühren an INTEL oder Rambus werden also nicht fällig.
  Der DDR-Nachfolger - DDR2 - soll Transferraten von 3,2 GByte pro Sekunde bringen.
   
• DRAM (Dynamic RAM)
  Beim dynamischen Schreib-/Lesespeicher (DRAM) müssen die Ladungen zyklisch mit einem sogenannten Refresh-Impuls immer wieder aufgefrischt werden, um die Daten in den Speicherzellen zu halten. Der Nachteil: Die Zugriffszeit durch Refresh-Vorgang und Wartezeiten des Prozessors liegt höher als beim SDRAM. Der Vorteil: DRAM ist kostengünstig, erwärmt sich weniger und hat durch seine einfachere Struktur eine höhere Integrationsdichte.
  Hochfliegende Pläne hat Samsung: Das Unternehmen will mit 0,13-Mikron-Technik 4-GBit-DRAM-Chips fertigen. Die Chips mit 500 MB Speicherkapazität gehen zwar erst in zehn Jahren in die Massenproduktion. Die Technik läßt sich laut Hersteller jedoch auch bei bestehenden Produkten - etwa den preisgünstigen 16-MBit-DRAM-Chips einsetzen.
   
• DRDRAM (Direct Rambus Dynamic RAM)
  siehe Rambus
   
• EDO (Extended Data-Out) DRAM
  Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher, ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten Data-Outputs. Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, während bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge.
  Im Vergleich mit SDRAM ist EDO-Speicher langsamer.
   
• FeRAM
  siehe MRAM
   
• FPM (Fast Page Mode) DRAM
  FPM war lange der DRAM-Standard, ist aber mittlerweile veraltet und wird von EDO - noch mehr von SDRAM - übertroffen. FPM DRAM optimiert den Zugriff auf Daten: Fragt der Prozessor nach Daten, die in derselben Reihe einer Seite wie die der zuletzt angeforderten liegen, muß der Speichercontroller nur noch die Spaltenposition adressieren.
   
• MRAM (Speicherchips hoher Packungsdichte auf Magnetbasis)
  Bevor das Silizium Einzug in die Speichermedien gehalten hat, basierten diese auf magnetisierbaren Eisenkernen - mit dem Vorteil, daß auch bei einer Stromunterbrechung gespeicherte Informationen nicht verlorengingen; das Booten war dadurch überflüssig und wird durch MRAMs - auch FeRAMs genannt - wieder überflüssig werden, da sich das gesamte System immer im Hauptspeicher befindet. Außerdem könnten diese Speicherchips für wesentlich leichtere Notebooks sorgen, denn die heute (2001) verwendeten RAMs benötigen in bestimmten Abständen energieaufwendige Refresh-Spannungsstöße (siehe DRAM), um fit zu bleiben; diese entfallen bei den MRAMs.
  Bis es soweit ist, wird allerdings noch etwas Zeit vergehen. Prof. Burkhard Hillebrands von der Uni Kaiserslautern entwickelt diese Chips in Zusammenarbeit mit Siemens. Er glaubt, dass serienreife MRAMs frühestens im Jahr 2005 auf den Markt kommen werden; siehe auch:
  • Arbeitsgruppe Magnetismus der Uni KL: www.physik.uni-kl.de/w_hilleb/w_hilleb.html
       
• RDRAM (Rambus DRAM)
  siehe Rambus
   
• SDRAM (Synchronous DRAM)
  Der Nachfolger von EDO synchronisiert sich mit dem Systemtakt, der den Prozessor kontrolliert. Das verhindert Zeitverzögerungen beim Zugriff. Eine Datenserie (Burst) wird zügig übertragen.
  SDRAM hat eine völlig andere Architektur als klassisches DRAM und ist wesentlich schneller. Diesen Speichertyp gibt es als 168-polige DIMM-Module für System mit 66MHz und 100MHz Bustakt.
   
• SLDRAM (Synchronous Link DRAM)
  Im September 1998 wollte Mosaid erste Muster seiner Synchronous-Link-DRAM-Chips an Compaq, Hewlett-Packard und IBM ausliefern. Diese 64-MBit-Chips schaffen laut Hersteller Datenraten von bis zu 800 MB/s. SLDRAM soll hauptsächlich in High-End-PCs und Servern eingesetzt werden (siehe auch www.sldram.com).
   
• SRAM (Static RAM)
  Im statischen Schreib-und-Lesespeicher erhält ein ständig fliegender Ruhestrom die gespeicherte Informationen aufrecht. Vorteil: SRAM braucht keinen Refresh, ist daher um einiges schneller als DRAM und läßt sich einfacher ansteuern. Nachteile: Höhere Leistungsaufnahme und stärkere Erwärmung.

Quelle: Archmatic-Glossar von Alfons Oebbeke, Link: www.glossar.de

Fachwörterglossar der Diplomarbeit von Benjamin Beer, mail: webmaster@bbeer.de
Innovationszentrum Bau - Diplomarbeit am Fachbereich Bauwesen der HTWK Leipzig